含 12800MT/s MRDIMM，SK 海力士内存新品亮相台积电北美技术论坛

4月27日消息，SK海力士在当地时间4月23日举行的台积电2025年北美技术论坛上展示了多款DRAM内存新品，包括先进的HBM内存和标准DIMM模组。其中在HBM部分，作为首家在HBM领域实现16层键合的内存企业，SK海力士带来了采用AdvancedMR-MUF键合技术的16HiHBM内存模型。
而在具体HBM内存产品上，SK海力士的HBM3E和HBM4实物也现身论坛，其中HBM4内存目前支持16Hi堆叠，单堆栈容量可达48GB，I/O速度为8.0Gbps，整体带宽为2.0TB/s，逻辑裸片(LogicDie)部分采用台积电先进制程。
在常规DIMM模组部分，SK海力士则展示了丰富的产品组合。对于一般RDIMM，此次展出的型号速率都达到了8000MT/s，包括三款：基于先进1cnm制程，最高64GB容量；采用3DS键合堆叠技术，容量可达256GB；采用较旧制程，容量96GB。
对于面向先进服务器的MRDIMM，SK海力士则端出了三款速度可达12800MT/s的产品：标准板型、基于1cnmDRAM的款式容量可达64GB；同样采用传统板型但基于更旧制程的型号则可达到96GB；采用更高板型的产品容量能进一步拓展到256GB。