三星电子副总裁：现有热压缩键合无法满足 20Hi HBM 内存生产需求

7月22日消息，综合韩媒ETNews、ZDNETKorea报道，三星电子公司副总裁、系统封装实验室领导KimDae-Woo今日在一场产业研讨会上表示，现有的热压缩键合(TCB)技术无法满足未来20层（16层以上）HBM内存堆栈的生产需求。

▲KimDae-Woo

负责连接各层DRAMDie的键合工艺在HBM的制造中起到举足轻重的作用，传统TCB包含凸块结构，这影响了进一步的间距压缩同时拥有更高热阻。根据三星电子给出的数据，无凸块的混合键合(HCB)可将堆叠层数提高至多1/3、热阻降低至多20%。

▲三星电子HBM键合技术转型规划图源三星电子，引自ZDNETKorea

三星电子将16层堆叠视为HBM内存键合技术从TCB转向HCB的关键节点，这大致对应HBM4E内存世代，到HBM5混合键合将实现全面应用。