AMD HB-DIMM DDR5内存性能翻倍突破，新架构实现速度飞跃

AMD提出HB-DIMM新架构，成功实现DDR5内存性能翻倍，数据传输速率从6.4Gbps跃升至12.8Gbps，这一创新技术将极大提升计算机内存的性能表现，为专业领域如大数据分析、图形渲染等提供更强大的支持，HB-DIMM架构的推出标志着内存技术的新里程碑，有望引领计算行业进入新的高速发展时代。

9月27日消息，科技媒体TechSpot昨日（9月26日）发布博文，报道称AMD获批名为“高带宽内存模组架构”的新专利，旨在解决DDR5内存面临的性能瓶颈。这项创新设计可将内存总线的传输速度从6.4Gbps翻倍至12.8Gbps，同时降低延迟、提升信号完整性。援引博文介绍，这项专利在不改变现有DRAM芯片基础的情况下，采用高带宽双列直插内存模组（HB-DIMM）方案实现性能提升。具体来说，该设计并非重新研发DRAM芯片，而是耦合多个DRAM设备与先进的数据缓冲芯片。

高带宽双列直插内存模组（HB-DIMM）方案图示

通过这种方式，缓冲芯片能够有效管理信号流，让输出性能翻倍，最终将内存总线的传输速度从目前标准的6.4Gbps提升至12.8Gbps，实现性能的跨越式增长。该架构的核心是一个寄存器时钟驱动电路，它能解码内存命令，并利用芯片标识符位进行路由。这种方法允许模组将任务分配给可独立寻址的“伪通道”（pseudochannels），从而实现真正的并行访问，有效突破了传统顺序访问模式对数据吞吐量的限制。这标志着内存访问方式的一次重要革新，为提升系统整体效率奠定了基础。

HB-DIMM内存架构

此外，该系统还支持1n和2n两种操作模式，为时钟和信号管理提供了高度灵活性，有助于优化时序、确保信号完整性。AMD还采用了一种简化的非交错传输格式，替代了传统的交错配置，此举旨在进一步降低数据传输延迟。同时，该设计具备在伪通道模式与四通道（quad-rank）配置之间切换的能力，让其能灵活适应高性能计算等对吞吐量和灵活性有严苛要求的复杂场景。