安森美与英诺赛科签署MOU，合作制造氮化镓器件

安森美与英诺赛科达成初步协议，计划合作制造适用于40~200V范围的氮化镓器件，此次合作旨在共同推动氮化镓器件在市场上的应用和发展，提高器件的性能和可靠性，该合作将有助于双方扩大市场份额，促进氮化镓技术的普及和成熟。

12月3日消息，安森美onsemi与国内氮化镓(GaN)技术企业英诺赛科Innoscience今日共同宣布双方已签署一份备忘录(MOU)。
双方计划结合安森美在系统集成、驱动器、封装上的专业知识和英诺赛科的GaN晶圆制造领导力，以英诺赛科的200mm（注：即八英寸）硅基GaN技术平台扩大安森美40~200V中低电压GaN功率器件的制造规模。对于安森美的客户而言，此项合作关系将带来更快的上市时间、可扩展的生产制造能力、更低的系统成本。