三星、SK海力士DRAM和NAND闪存价格预计上调达30%

据最新消息，三星和SK海力士计划在25Q4季度上调DRAM和NAND闪存价格，涨幅最高可达30%，这一决策可能受到供应链紧张、生产成本上升等多种因素的影响，此次价格上涨将对电脑、智能手机和其他电子设备制造商的成本产生重大影响，并可能导致消费者面临更高的产品售价，市场观察家正在密切关注这一趋势，并警告这可能引发行业内的进一步波动。

10月23日消息，据《韩国经济新闻》今天报道，业内人士透露，三星、SK海力士等主要供应链已通知客户，将在2025年第四季度把DRAM和NAND闪存的价格上调最多30%。
花旗银行、摩根士丹利等研究机构已经在近期的半导体业界分析报告中，预估25Q4的DRAM平均售价上调25-26%，相较原预测上调超过10个百分点，进一步强化了上游价格预期。业内人士分析道，这波涨价潮的主要支撑因素是AI带动的存储需求爆发，谷歌、微软、亚马逊、Meta、OpenAI等大型公司都试图大举投资AI数据中心，而数据中心对高容量、高性能的DRAM需求正在急速攀升。
业内预测，2030年的HBM市场规模将达到1000亿美元（注：现汇率约合7095.42亿元人民币），对比今年的300-400亿美元（现汇率约合2128.63-2838.17亿元人民币）攀升三倍，而明年正式出货的12层堆叠HBM4单价达到500美元，对比当前世代HBM3E的300美元（现汇率约合2129元人民币）涨幅达60%以上。同时业界对AI的投资趋势也有转移，将数据训练为主导扩展至推理服务化阶段，这种转变不仅进一步刺激了HBM的需求，还带动了DRAM的同步增长。